JANTXV2N3700

产品描述

Transistors Bipolar - BJT JANTXV2N3700

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数量:359

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美国加州
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集电极最大直流电流	1
最低工作温度	-65
安装	Through Hole
Maximum Transition Frequency	400
PCB	3
筛选等级	Military
最大功率耗散	800
类型	NPN
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	140
最大集电极发射极电压	80
供应商封装形式	TO-18
标准包装名称	TO-206-AA
最高工作温度	200
引脚数	3
最小直流电流增益	50@0.1mA@10V\|90@10mA@10V\|100@150m...
包装高度	5.33(Max)
Package Diameter	5.84(Max)
最大基地发射极电压	7
封装	Bulk
铅形状	Through Hole
集电极电流（ DC）（最大值）	1 A
集电极 - 基极电压	140 V
集电极 - 发射极电压	80 V
发射极 - 基极电压	7 V
频率	400 MHz
功率耗散	0.8 W
工作温度范围	-65C to 200C
包装类型	TO-18
元件数	1
工作温度分类	Military
弧度硬化	No
晶体管极性	NPN
直流电流增益	50
集电极电流（DC ）	1 A
集电极 - 发射极饱和电压	500 mV
品牌	ON Semiconductor
直流电流增益hFE最大值	300
安装风格	Through Hole
集电极 - 发射极最大电压VCEO	80 V
Pd - Power Dissipation	1 W
发射极 - 基极电压VEBO	7 V
集电极 - 基极电压VCBO	140 V
最低工作温度	- 65 C
集电极最大直流电流	1 A
封装/外壳	TO-18-3
配置	Single
最高工作温度	+ 200 C
RoHS	RoHS Compliant
连续集电极电流	1 A

型号	厂家	产品描述
JANTXV2N3700AUB	microsemi	NPN TRANSISTOR, UB, LAW
JANTXV2N3700UB	Microsemi	Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin UB
JANTXV2N1613	microsemi	Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 3-Pin TO-39
JANTXV2N1613L	Microsemi	Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 3-Pin TO-5
JANTXV2N1711	microsemi	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N1714	microsemi	Trans GP BJT NPN 3-Pin TO-5
JANTXV2N1714S	Microsemi	Trans GP BJT NPN 3-Pin TO-39
JANTXV2N1715	microsemi	Trans GP BJT NPN 3-Pin TO-5
JANTXV2N1715S	microsemi	Trans GP BJT NPN 3-Pin TO-39
JANTXV2N1716	Microsemi	Trans GP BJT NPN 3-Pin TO-5
JANTXV2N1716S	Microsemi	Trans GP BJT NPN 3-Pin TO-39
JANTXV2N1717	Microsemi	Trans GP BJT NPN 3-Pin TO-5
JANTXV2N1717S	microsemi	Trans GP BJT NPN 3-Pin TO-39
JANTXV2N1890S	microsemi	Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin TO-5
JANTXV2N1893S	microsemi	Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-5
JANTXV2N2060	microsemi	Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 6-Pin TO-78
JANTXV2N2060L	microsemi	Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 6-Pin TO-78
JANTXV2N2218	microsemi	Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 3-Pin TO-39
JANTXV2N2218A	microsemi	Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin TO-39
JANTXV2N2218L	microsemi	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR 3TO-39

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